采用硬質陽極氧化工藝制備LED封裝用鋁基板絕緣層，通過實驗分析了制備鋁基板過程中氧化時間、草酸濃度、硫酸濃度和電流密度等因素對其氧化膜厚度、擊穿電壓的影響，得到了制備低熱阻鋁基板的最佳工藝參數(shù):電流密度3A/dm2，草酸濃度為10g/L，H2SO4濃度150g/L，氧化時間45min。利用原子力顯微鏡(AFM)觀察熱沖擊后裂紋萌生的情況，結果表明鋁基板有微小裂紋，但仍滿足絕緣要求，通過對氧化鋁膜熱阻的測試發(fā)現(xiàn)，鋁基板與氧化膜的復合熱阻在1～3℃/W之間。結果表明用陽極氧化法制備的鋁氧化膜滿足LED基板對散熱及絕緣性的要求。

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